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以新型微波輔助化學氣相沉積法成長不同旋度單壁碳奈米管

在本實驗中，觸媒輔助成長之奈米結構乃. 藉由微波輔助化學氣相沉積法將之成長於矽. (Si)基板上。首先於矽基板上利用物理性蒸度. (PVD)以沉積不同厚度(1 ~ 10 nm)之CoCrPtOx.

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