3.使用低壓化學氣相沉積(LPCVD),沉積. 區溫度到達指定溫度後,再將蒸發區之先. 驅物加熱氣化,送至沉積區發生反應,沉. 積於基板上。 4.分析基材使用龍華貴儀中心場發射 ...
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