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化合物半導體材料| 環球晶圓股份有限公司

這兩個材料皆擁有寬能隙特性，應用上可以展現相當高的崩潰電壓與抗高溫特性，適於應用最新的高功率元件。 氮化鎵材料也擁有高電子飽和遷移率特性，搭配半絕緣碳化矽基板， ...

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