由於本電路中MOS 電晶體工作於弱反轉區,因此其功率消耗非常低,經由. HSPICE 以N-well0.35μm2p4m製程模擬顯示,當供應電壓為1.伏特的情況下,功率消耗僅. 僅為3.32μW。
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