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功率放大器設計
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联电致股东报告:14nm制程良率突破90% - 集微网
在14nm制程技术方面,目前客户以14FFC平台设计的产品良率已突破90%,性能 ... 三类半导体功率元件等利基市场,砷化镓元件部分,针对既有HBT功率放大器 ...
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