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第四章共閘差動式E 類功率放大器設計

第四章共閘差動式E 類功率放大器. 設計、模擬和佈局. 4.1 CMOS 製程的高頻元件模型和限制. 近幾年來，隨著金氧半場效電晶體的長足進展，使的CMOS 製程技術更趨成.

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