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第三代半導體——碳化矽材料之製程與分析 - 電子工程專輯

在矽晶圓的製作技術上目前已經相當成熟，但在SiC晶圓方面，仍有長足的進步空間。 目前SiC長晶成本約佔總元件38%，主流的製作方式有高溫化學氣相沉積法( ...

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