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宣稱減少使用SiC 特斯拉此舉值得擔憂嗎？ - 電子工程專輯

減少使用碳化矽聲明傷及概念股. 作為第三類半導體材料的典型代表，碳化矽具有大的能隙寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射 ...

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