叉曝光、曝光后烘焙、分步显影、反应离子刻蚀法. (RIE)刻蚀Si,N、去除光刻胶、电感耦合等离子体. 刻蚀法(ICP)刻蚀衬底材料、去除SigN。本发明. 弥补了全息干涉难以利用正 ...
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