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使用低溫中間層之高響應度氮化鎵p-i-n感光二極體

另一方面，以氮化物半導體為基礎之元件由於具有寬直接能隙、高崩潰電場與高操作溫度等特性，同樣也適合作為紫外光偵測之檢測器。因此，氮化鎵感光二極體有 ...

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