最佳結果顯示當p、i、n型非晶矽層最佳厚度分別為18 nm、400 nm及20 nm,其光電轉換效率(PCE)、開路電壓(Voc)、短路電流密度(Jsc)及填充係數(FF)分別各為3.2 %、770 ...
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