... 導帶邊緣比 GaAs 的高 Ec,當電子從 AlGaAs 向 GaAs 中轉移時,在 GaAs 表面形成 ... 效應較小,雜訊性能好,使得 HEMT 應用於微波低雜訊放大,高速數位積體電路,高速靜態 ...
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