... 光电导效应. 光电导衰变行为表明在. GaN 的能带隙中存在双稳态深能级杂质或缺陷, 这种深能级缺陷可以是N Ga 反位、V Ga 空位. 或V Ga2Si 络合物, 它也是造成黄光的微观 ...
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