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雪崩光電二極體的暗電流存在的原因及測試方法 - 趣關注

在APD製造上，需要在器件表面加設保護環，以提高反向耐壓效能；半導體材料以Si為優（廣泛用於檢測0。9um以下的光），但在檢測1um以上的長波長光時則常用Ge ...

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