與光電倍增管類似,雪崩光電二極管(APD) 用於檢測極弱的光強度。 Si APD 用於250 至1100 nm 的波長范圍,InGaAs 用作1100 至1700 nm 波長范圍的APD 中的半導體材料。
確定! 回上一頁