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TWI458110B - 光電二極體、光感測元件及其製備方法

依據本發明一實施例，上述光感測元件之光電二極體，又包含P型半導體層，且配置於本質半導體層與上電極之間。 依據一實施方式，本案使用非晶型銦鎵鋅氧化物材料來製備 ...

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