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光阻原理
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利用原子層蝕刻技術克服EUV隨機變異 - 電子工程專輯
此挑戰來自於光阻劑成分和擊中光阻劑的光子數量的隨機變異,此現象在高能量EUV微影中已變得更為嚴重。這些變異統稱為隨機性(stochastics)或隨機變異 ...
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