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超級光阻劑可望在10nm節點實現EUV微影| SEMI

為了避免損壞晶片， EUV 光源必須設計得像飛秒(femto second)般地快速閃爍，但只有非常敏感的光阻劑能符合這麼短的曝光時間要求。

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