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光蝕刻技術(photolithography)之光阻劑(photoresist)

解析度比負型光阻佳，故大部分的半導體製程工廠使用正型光阻劑，成分為酚醛樹脂(phenol-formaldehyde resin)或環氧樹脂(epoxy resin)，溶劑則為醋酸鹽 ...

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