你即將離開本站

並前往https://ir.nctu.edu.tw/bitstream/11536/41015/1/551201.pdf

工學院半導體材料與製程設備學程

5. 曝後烤(Post Exposure Bake, PEB). 曝後烤的目的是消除駐波效應以及在光酸放大型阻劑中提供光. 酸擴散與反應時所需的能量。所謂駐波效應是指曝光的光源穿過光. 阻後照射 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「光阻劑成分」的人也找了：

  1. 光阻化學式
    2.
  2. 光阻劑毒性
    3.
  3. 光阻原理
    4.
  4. 光阻劑種類
    5.
  5. euv光阻劑
    6.
  6. 光阻pr
    7.
  7. 光阻液
    8.
  8. 光阻劑台積電
    9.