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以新一代製程設備推進記憶體技術藍圖 - 電子工程專輯
3D NAND製程始於氧化物與氮化物薄膜的交替沉積,接著做硬遮罩沉積並在其上開 ... 但此舉會增加光罩消耗,反而又需要將光罩加厚或者改良硬遮罩材料。
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