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帶溝與半導體的光電特性

半導體導電電子和電洞復合時可以放出能量約和帶溝相同之光子，可以. 利用來製作光源。 例如砷化鎵的帶溝為1.4eV，相當於波長約0.9 µm的紅外光，可被用來做.

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