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TWI686936B - 光偵測元件

目前光偵測元件(Photodetector)廣泛利用此半導體能隙吸收機制。 現今紅外光偵測器(infrared sensor)大多以III-V族或Ge這類材料能隙小的半導體做為主動層或偵測吸收 ...

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