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半導體元件物理與製程─理論與實務 - 第 71 頁 - Google 圖書結果

考慮在溫度為 300K 時的某 n+–p 矽單側陡接面具有 NA = 1016cm 與 ND = 1019cm -3,請分別計算在零偏壓和逆向偏壓 2V 時的內建電位、空乏區寬度、接面電容、與最大電場, ...

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