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倍思 GaN 爆炸
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隨著同事的倍思充電頭爆炸我也患上了有關快充的「安全焦慮」 - 全網搜
就GaN而言,其帶隙比矽高得多,這意味著它可以隨時間傳導更高的電壓。帶隙較大也意味著電流可以比矽更快地流過GaN製成的晶片,從而可以更快地進行處理,簡而言之,會讓充電 ...
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