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分子束外延GaN 薄膜的X 射线光电子能谱和俄歇电子 ... - 物理学报

文献［9］用X 射线光电子能谱. （XPS）和俄歇电子能谱（AES）方法分析了未掺杂、p. 型、n 型GaN 薄膜表面的组分，发现掺杂使表面组分. 发生变化.p 型掺杂使表面富Ga，n ...

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