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Microsoft PowerPoint - 半導體製程技術7 - PDF Free Download

24 電漿增強型化學氣相沉積(PECVD) 發展氮化矽取代二氧化矽做為鈍化氧化層. 相對低溫下有高的沉積速率. 射頻在沉積氣體中感應電漿場射頻控制沉積薄膜的應力反應室電漿清洗.

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