離子佈植. 多晶矽 n+. P型矽 n+. SiO2. P+. 擴散. 離子佈植. 高溫, 硬遮蔽 ... 離子佈植. 擴散. 摻雜區. 接面深度. •電子束的電流和佈植的時間可控制摻雜的濃度.
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