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介電質電容
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高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究
理想上,若我們只改變介電質材料( ). 及厚度(d),電容及面積(A)大小不變,則兩者變數. 之關係應該成正比。當我們以高介電質取代二氧化矽,由於材料的介電質變大,在為 ...
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