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高介電絕緣層對先進金氧半場效應電晶體元件影響之研究

理想上，若我們只改變介電質材料( ). 及厚度(d)，電容及面積(A)大小不變，則兩者變數. 之關係應該成正比。當我們以高介電質取代二氧化矽，由於材料的介電質變大，在為固定 ...

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