低導線電阻及增強抗電致遷移. 的能力﹔ 而使用低介電常數. (Low-k)材料取代二氧化矽(介. 電常數約為3.9). 做為金屬間介電. 層,得以有效降. 低電路中的寄生. 電容, ...
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