你即將離開本站

並前往https://ir.lib.nchu.edu.tw/handle/11455/17082

利用變溫霍爾效應測試半導體二維系統的基本特性

在此研究中所使用的樣品矽鍺(SiGe/Si)結構異質是以分子束磊晶(molecular beam epitaxy)磊晶長成的不同spacer layer的厚度的調節摻雜結構，以硼作為摻雜，電洞為主要載子。

確定！ 回上一頁

查詢 「二維系統」的人也找了：

  1. 建照二維系統
    2.
  2. 建築執照申請書表系統教學
    3.
  3. 建築執照書表系統
    4.
  4. 建築執照申請系統
    5.
  5. 2016建築執照申請書表系統
    6.
  6. 建築執照書圖文件電子化線上申請系統
    7.
  7. 台北市建築執照申請書表系統
    8.
  8. 2016建築執照申請書表系統無紙化
    9.