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Research Areas - Laboratory for Innovative NanoElectronics ...

有趣的是，所析出的矽原子(Si interstitials)與生成的二氧化矽反倒促使鍺量子點鑽入 ... 並且發現由於鍺量子點與二氧化矽間的價電帶偏移(∆EV ~ 5.2 eV)遠高於導電帶偏 ...

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