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543187 - 申請日期

1987) 矽-氧化物- 氮化物- 氧化物- 矽(SONOS)型快閃記憶 。 體單元建造成具有夾在兩個二氧化矽層(絕緣層) 之間之電. 該不. 荷抑制(trapping)不導電介電質, ...

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