P側帶負電,N側帶正電。障壁電位的大小由. 半導體材料的種類、摻雜的程度及溫度等決定。在室溫. 下,矽約為0.6V~0.7V,鍺約為0.2V~0.3V。 2-3 PN接面二極體 ...
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