在濕蝕刻中是使用化學溶液經由化學反應以達到蝕刻的目的而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻plasma etching電漿蝕刻中的蝕刻的作用可能是電漿中離子C. R. Yang, NTNU MT-2.
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