你即將離開本站

並前往http://ir.lib.isu.edu.tw/retrieve/108815/isu-104-isu10204003m-1.pdf

碩士論文蝕刻製程在不同晶圓載台轉速下之電漿流動的數值模擬

10 cm−3)且操作氣壓低(1-100mTorr)，如乾蝕刻、. 化學氣相沉積、物理氣相沉積、濺鍍等。 ... 著增加，但蝕刻出的結果較傾向於等向性蝕刻，因此現在大部分的蝕刻機台會.

確定！ 回上一頁

查詢 「乾蝕刻機台」的人也找了：

  1. lam蝕刻機台
    2.
  2. 乾蝕刻濕蝕刻ptt
    3.
  3. 半導體蝕刻機
    4.
  4. 半導體乾蝕刻技術
    5.
  5. 濕式蝕刻乾式蝕刻優缺點
    6.
  6. 蝕刻選擇比
    7.
  7. 電漿蝕刻原理
    8.
  8. 蝕刻製程ppt
    9.