你即將離開本站

並前往https://www.aec.gov.tw/share/file/information/k7XpFOQ4IMdbzmL-IpvNeA__.pdf

行政院原子能委員會委託研究計畫研究報告

在前段製程晶片和承載用SiC 晶片貼合後，要將前段製程晶片. 厚度減薄到70 毫米左右，才可進行背穿孔乾蝕刻製程。整個薄化的. 步驟，包含二個程序，研磨(Lapping)和拋光( ...

確定！ 回上一頁

查詢 「乾蝕刻機台原理」的人也找了：

  1. 電漿蝕刻原理
    2.
  2. lam蝕刻機台
    3.
  3. 電漿蝕刻機
    4.
  4. 半導體乾蝕刻技術
    5.
  5. icp蝕刻原理
    6.
  6. 乾蝕刻ptt
    7.
  7. 蝕刻製程ppt
    8.
  8. 蝕刻終點偵測
    9.