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反應離子刻蝕- 維基百科，自由的百科全書

反應離子蝕刻（英文：Reactive-Ion Etching，或簡寫為RIE）是一種半導體生產加工工藝，它利用由電漿體強化後的反應離子氣體轟擊目標材料，來達到刻蝕的目的。

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