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乾蝕刻原理
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第二章 感應耦合電漿蝕刻與AlGaN/GaN HEMT
乾式蝕刻(Dry etch),是以氣體電漿來蝕刻樣品的表面原子或分子。 影響乾蝕刻的因素包括:(1)蝕刻系統的型態;(2)乾蝕刻的參數;(3)前 ...
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