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氧化硅片|氧化片| Silicon Oxide Wafers

虽然湿法氧化无法产生如干法氧化一样高质量的氧化层，但足够用以作为隔离区，相比较于干法氧化具有明显的优势是其有更高的生长速率。 湿法氧化能力：50nm~15 µm(500Å~15µm).

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