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擴散製程目的

乾氧化(Si + O2 → SiO2): 氧氣擴散穿過原有的二氧化矽層與矽反應，反應清洗目的在半導體加工製程中對晶片本身的潔淨度要求非常的高，濕式清洗則是現 ...

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