經由製程最佳化條件下之傳統蕭特基閘極與氧化鎂閘極介電層 ... 極遮罩以限定濕式蝕刻的區域。 ... 比較非治療和30nm 的氧化鎂氧化層的氮化鎵/ AlGaN/ GaN 的HEMT.
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