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砷化鎵基片和表面處理過的砷化鎵基片及其製法和使用

為評估本發明GaAs表面之均勻性，使用百分比P1或另外Q 0.01供比較。 ... 為決定本發明不同具體例的乾式氧化和濕式淨化間之蝕刻磨耗，令抗化學粘膠帶貼在GaAs晶圓前側。

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