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中芯國際技術
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中芯國際官宣新進展,芯片技術迎來突破,性能相當於台積電7nm
官方之前曾公布,中芯国际的FinFET第一代技术实质是14nm工艺改进的12nm工艺,而FinFET第二代技术则包括N+1和N+2,分别对标台积电7nm和5nm。
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