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中科院物理研究所实现8英寸碳化硅生长的突破 - 电子发烧友

近年来，下游需求带动下，SiC衬底正在从6英寸开始向8英寸推进，更大的衬底尺寸，意味着单片SiC晶圆能够制造出的芯片数量更多，晶圆边缘浪费减少，单芯片 ...

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