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中科院物理所成功研制6英寸碳化硅单晶衬底 - 与非网

碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大，临界击穿场强大，热导率高，饱和漂移速度高等诸多特点，被广泛应用于制作高温、高频及大 ...

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