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国产三代半新突破，中科院成功制备8英寸碳化硅晶体 - 通信世界

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，在功率半导体等领域具有巨大应用潜力，但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题，碳化硅单晶衬底在器件成本中占 ...

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