你即將離開本站

並前往https://moneylink.com.tw/RealtimeNews/NewsContent.aspx?SN=33250900&PU=0017

寬能隙半導體元件慢火加溫 - 富聯網

寬能隙指的是包括由碳化矽(SiC)或氮化鎵(GaN)兩種材料產生的半導體 ... 的業者已愈來愈多；另中科院在經濟部科專計畫支持下投入長晶技術開發，經過6年 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「中科院碳化矽」的人也找了：

  1. 精 碳材料
    2.