你即將離開本站

並前往https://www.ithome.com/0/616/894.htm

国产三代半导体材料新突破，中科院成功制备8 英寸碳化硅晶体

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，在功率半导体等领域具有巨大应用潜力，但长期以来面临大尺寸晶体制备的工艺难题，碳化硅单晶衬底在器件成本中占 ...

確定！ 回上一頁

查詢 「中科院碳化矽」的人也找了：

  1. 精 碳材料
    2.